tuotenimi: IRF1404-siru N-kanavainen transistori
\nväri:musta+hopea
\nmateriaali:muovi+metalli
\nMOSFET (metal-oksidi-puolijohdekenttätransistori, lausutaan MAWS-feht) on erityinen kenttätransistorityyppi (FET), joka toimii muuttamalla elektronisesti kanavan leveyttä, jota pitkin varauskantajat (elektronit tai aukot) virtaavat. Mitä leveämpi kanava, sitä paremmin laite johtaa.
\nVarauskantajat tulevat kanavaan lähteestä ja poistuvat tyhjennyksen kautta. Kanavan leveyttä ohjataan jännitteellä, joka on portilla kutsutulla elektrodilla, joka sijaitsee fyysisesti lähteen ja tyhjennyksen välissä ja on eristetty kanavasta erittäin ohuella metallioksidikerroksella.
\nMOSFET voi toimia kahdella tavalla. Ensimmäinen tunnetaan tyhjennystilana. Kun portilla ei ole jännitettä, kanava on suurimmassa johtavuudessaan. Kun portin jännite kasvaa (joko positiivisesti tai negatiivisesti riippuen siitä, onko kanava valmistettu P-tyypin vai N-tyypin puolijohdemateriaalista), kanavan johtavuus pienenee. Toinen tapa, jolla MOSFET voi toimia, kutsutaan tehostustilaksi. Kun portilla ei ole jännitettä, kanavaa ei käytännössä ole, eikä laite johda. Kanava muodostuu, kun portille syötetään jännite. Mitä suurempi portin jännite, sitä paremmin laite johtaa.
\nPaketin sisältö:5 kpl x Transistori
\nHuomautus: Valo ja erilaiset näytöt voivat aiheuttaa sen, että kohteen väri kuvassa on hieman erilainen kuin todellisuudessa. Sallittu mittausvirhe on +/- 1-3 cm.