tuotteen nimi: IRFP460-siru N-kanavatransistori väri: musta+hopea materiaali: muovi+metalli Virta: 20A Jännite: 500V MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor, lausutaan MAWS-fet) on erityinen kenttävaikutustransistorin (FET) tyyppi, joka toimii muuttamalla elektronisesti kanavan leveyttä, jota pitkin varauksenkuljettajat (elektronit tai aukot) virtaavat. Mitä leveämpi kanava, sitä paremmin laite johtaa. Varauksenkuljettajat saapuvat kanavaan lähteestä ja poistuvat tyhjennyskohdan kautta. Kanavan leveyttä ohjaa jännite elektrodilla, jota kutsutaan hilaaksi ja joka sijaitsee fyysisesti lähteen ja tyhjennyskohdan välissä ja on eristetty kanavasta erittäin ohuella metallioksidikerroksella. MOSFET voi toimia kahdella tavalla. Ensimmäinen tunnetaan tyhjennystilana. Kun hilassa ei ole jännitettä, kanava osoittaa maksimijohtavuutensa. Kun hilassa oleva jännite kasvaa (joko positiivisesti tai negatiivisesti, riippuen siitä, onko kanava valmistettu P-tyypin vai N-tyypin puolijohdemateriaalista), kanavan johtavuus pienenee. Toinen tapa, jolla MOSFET voi toimia, on nimeltään vahvistustila. Kun hilassa ei ole jännitettä, kanavaa ei käytännössä ole, eikä laite johda. Kanava syntyy jännitteen syöttämisellä hilaan. Mitä suurempi hilajännite, sitä paremmin laite johtaa. Pakkauksen sisältö: 5kpl x Transistori Huomautus: Valo ja erilaiset näytöt voivat aiheuttaa sen, että kuvan kohteen väri poikkeaa hieman todellisesta. Sallittu mittausvirhe on +/- 1-3 cm.