Tuotteen nimi: IRFP460 siru N-kanava transistori

Väri: musta + hopea

Aineisto: muovi + metalli

Virta: 20A

Jännite: 500V

MOSFET (metallioksidi-puolijohde-kenttätransistori, ääntäminen MAWS-feht) on eräänlainen kenttätransistori (FET), joka toimii muuttamalla elektronisesti kanavan leveyttä, jonka läpi latauskantajat (elektronit tai reiät) virtaavat. Mitä leveämpi kanava, sitä paremmin laite johtaa. Latauskantajat tulevat kanavaan lähteen kautta ja poistuvat viemärin kautta. Kanavan leveyttä ohjataan portin nimellä tunnetun elektrodin jännitteellä, joka sijaitsee fyysisesti lähteen ja viemärin välissä ja on eristetty kanavasta erittäin ohuella metallioksidikerroksella.

MOSFET voi toimia kahdella tavalla. Ensimmäinen tunnetaan tyhjennystilana. Kun portissa ei ole jännitettä, kanava näyttää maksimaalisen johtavuutensa. Kun portin jännite kasvaa (positiivisesti tai negatiivisesti riippuen siitä, onko kanava valmistettu P-tyypin tai N-tyypin puolijohdemateriaalista), kanavan johtavuus pienenee. Toinen tapa, jolla MOSFET voi toimia, kutsutaan vahvistustilaksi. Kun portissa ei ole jännitettä, kanavaa ei ole käytännössä olemassa ja laite ei johda. Kanava syntyy soveltamalla jännitettä porttiin. Mitä suurempi portin jännite, sitä paremmin laite johtaa.

Pakkauksen sisältö: 5 kpl x Transistori

Huomautus: Valo ja erilaiset näytöt voivat aiheuttaa kohteen värin kuvassa hieman erilaiseksi kuin todellisuudessa. Mittauksen sallittu virhe on +/- 1-3cm.